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2025 ICDT新型显示技术竞赛

2025年3月下旬
ICDT大会赛题宣讲
2025年6月下旬
报名投稿截止
2025年7月下旬
议题评议和预赛
结果公布
2025年8月中旬
上海·练秋湖现场
决赛答辩
2025年8月下旬
结果发布
竞赛基本信息

竞赛名称:2025 ICDT新型显示技术竞赛

组织单位:

主办单位:SID China

独家赞助单位:华为终端有限公司

竞赛对象:面向高等院校及科研院所在读博士生、硕士生、本科生

决赛地点:上海·练秋湖研发中心


①颁发获奖证书

②奖金设置(奖项名额根据实际参赛情况决定):

                    一等奖3名:各30000元

                    二等奖6名:各20000元

                    三等奖9名:各10000元

                    优胜奖15名:各5000元

                 

3、针对赛题一、赛题二,优秀学生的成果可入选ICDT会议口头报告,优先申请录入JSID期刊杂志(SCI收录)

4、为所有进入复赛的同学提供实习面试的机会

5、为一等奖获奖者额外提供天才少年的面试渠道

6、安排端到端的交流和邀请上海·练秋湖研发中心参观学习


命名试题1(试题类型:显示算法)


题目

移动端测图像清晰度及HDR效果优化

背景

用户与应用对终端设备有“再现真实世界、还原创作者意图”(临境显示)的极致视觉体验需求。需要显示系统从清晰、真实、流畅等效果维度,提升视觉体验。

清晰:侧重空域维度,需要优质的清晰度增强/缩放算法,提升图片/视频/图形的清晰度;

真实:侧重频域维度,幅度对应亮度/动态范围/对比度,频率(或波长)对应色域/色调/饱和度,真实的核心追求是HDR与广色域;

流畅:侧重时域维度,追求显示帧率与画面内容(相对屏幕)运动速度的匹配。同时,清晰、真实体验,受到显示/观看环境的极大影响,环境与内容自适应管理,也是重要课题。


需要解决的问题

A.请选择如下任务之一:

1)清晰度增强:参考范围:FSR或其它边缘/纹理自适应缩放算法、适合端侧部署的轻量化AISR算法等。输入:低分辨率或低码率图片。输出:4档图片(原图分辨率图片、2x放大图片、竖屏显示下屏幕大小自适应的缩放图片、横屏显示下屏幕大小自适应的缩放图片)。后两种,需保证幅型比1:1,水平或垂直方向撑满屏幕。

2)HDR图片编辑:可参考微信、微博、抖音、快手、小红书、B站等Top应用对SDR图片的编辑功能,支持对HDR图片的编辑;支持至少2种编辑功能(如:添加文字、添加1款调色滤镜),且保证HDR效果不丢失、添加的SDR元素(如白色文字)不过亮。输入与输出:符合HDR Vivid或ISO HDR图片标准。

B.选择任一任务,均需要满足以下条件:

1)模型算力小于30GFlOPS

2)效果客观指标优于SOTA且算法性能(鸿蒙开发者平台平均单帧处理时延)满足20HZ   or   效果客观指标持平或略差于SOTA且算法性能(鸿蒙开发者平台平均单帧处理时延)满足30HZ


附图说明

关键交付件

初赛:方案综述文档,需涵盖以下内容 1)相关技术的演进;2)State of the art(SOTA)技术总结以及不足;3)本方案创新性与功能说明;4)本方案

原理实现或者相关实验说明;5)本方案的预期效果收益;(初赛注重考查学生在本领域知识的覆盖面和积累,鼓励技术原理或者实现的创新性);

复赛:我司提供部分测试图片集(参赛者也可以自备)。参赛者输出运行与鸿蒙OS(版本不限)的demo app,对输入图片进行相关处理,获得更优效果。

效果评价指标含PSNR等客观评价指标,也含评委组主观评价综合打分。

其他注意事项

鼓励原创想法,如涉及到业界公开方案需提供优化说明,鼓励基于鸿蒙NEXT开发者平台开发

考察学生专业维度

图像处理/AI/数学算法;

鸿蒙开发;


命名试题2(试题类型:器件和仿真)


题目

OLED器件电容特性研究

背景

OLED发光器件电容特性是影响OLED屏幕显示效果的因素之一;OLED器件为多膜层结构,各层的传输特性、界面注入特性、膜层稳定性、驱动频率等均会影响器件电容的大小及长时间使用的稳定性,需要进行深入研究。

需要解决的问题

附图分别给出了常见的single OLED、tandem OLED器件结构,以及器件I-V和C-V特性示意图,请选择一种OLED器件,通过结构设计、仿真模拟等方式对器件电容特性进行分析,给出电容影响因素及调整方法。


附图说明

关键交付件

初赛:通过理论分析、仿真模拟等给出OLED器件电容分析模型,输出相关技术文档,需涵盖以下内容:

1.技术研究背景; 2. OLED器件电容理论模型及影响因素分析。

复赛:给出OLED电容特性的模拟验证结果,需涵盖以下内容:

1.对OLED器件电容进行模拟仿真,给出影响电容的关键影响因子及电容大小调节方法。

分析恒定电流应力(参考1/5/10 mA/cm2)对OLED器件物理参数影响,通过仿真分析导致电容变化>10%的物理参数。

其他注意事项

1.器件的结构可参考示意图,顶发射或底发射器件均可,功能层结构不限制,有机膜层数量建议>5层;

2.OLED器件电学仿真工具不限,可将器件等效为电子元件进行仿真;

3.鼓励原创想法,如涉及到业界公开方案请说明改进点和局限性。

考察学生专业维度

1.OLED器件结构及材料的理解,器件电学特性的分析能力;

2.OLED器件建模能力,器件创新设计能力;


开放试题

不限定具体题目,符合如下方向:显示效果提升、人眼舒适性研究、OLED相关的驱动效率提升、MicroLed、三维显示、显示防窥技术、先进显示材料等

参赛学生通过提交自己的研究成果,经由专家评审,课题面向高等院校及科研院所在读博士生、硕士生。

往届参加过竞赛的同学均可报名参与。重点在挖掘好的idea以及优质的合作资源。

参赛要求:

  • 已公开发表的研究成果或未发表的研究方案、创新思路均可提交。

  • 开放性赛题以个人身份参赛,报名人必须为其提交成果的主要贡献者。

  • 提交材料需经所在单位及导师知情同意,内容不得涉密。

  • 材料的格式不限,可以是word、PPT、PDF等能够表达清楚作者工作的内容,如有demo可拍摄视频或现场展示

  • 所涉及的OLED显示可靠性和效率提升不限制在材料、结构、仿真等等领域,有益效果均可提交。


评审方式:

  • 初赛根据学生提升的成果进行初评,综合参考收益、可实现性、技术完备程度等方面进行判断

  • 决赛现场答辩,学生可以带demo、仿真结果等现场展示


ICDT显示技术竞赛Q&A

Q1:每个团队最多可由多少人组成?

A1:选择命名式题:每个团队最多3位学生,若有指导老师,团队可由1位指导老师和3位学生组成;选择开放试题:需由个人身份参赛,必须为成果的主要贡献者。


Q2: 我想报名多个赛题可以吗?

A2:一名学生最多可参与1个赛题。


Q3:团队一定需要指导老师吗?

A3:不一定需要,根据报名团队自身情况自行寻找最多1位指导老师。


Q4:   可以独自报名吗?

A4:可以单独一个人为团进行报名。


Q5:如何与华为专家交流?

A5:报名成功后团队负责人将会收到竞赛组委会的email,可根据email内容添加竞赛负责人李立佛(Tina)女士的微信以便组委会建立交流微信群。也可直接添加Tina(李立佛)微信:15327153369,并提供团队负责人名称,学校和手机号以及报名赛题,在与报名信息核对后即会加入交流群。


评审标准

交付件

①解题思路

②仿真或解题过程说明

③方案结果呈现,仿真结果、实物演示等不限

④决赛需准备答辩文档

评审标准

①回收的交付件提交给组委会,隐去学校/姓名,设置一一对应的数字编号(盲审);

评委按照评审标准打分统计成绩



联系我们

Tina Li(李立佛)

E-mail:tinali@sidchina.org

Tel: 15327153369