基本信息

竞赛名称:

ICDT 华大九天杯创新竞赛

组织单位:

承办单位:华大九天

举办单位:SID China

竞赛对象:

各大高校学生团队


日程安排
  • 2022/05/28 09:30-17:30

    竞赛说明会&培训会

  • 2022/05/31或2022/06/01 13:30-16:30

    竞赛说明会&培训会

  • 2022/8/1

竞赛报名截止

  • 2022/8/15

交卷反馈截止日期

  • 2022/8/26

答辩材料反馈截止日期

  • 2022/8/27或28日

完成线上答辩+线上评审

  • 2022/9/光博会之DW Review论坛

公布竞赛结果+颁奖


ICDT 华大九天杯创新竞赛

   

ICDT 华大九天杯创新竞赛”是国内单一基于国产化平台的平板显示设计全流程竞赛,旨在丰富高校学生的产业应用知识,培养学生实践能力,推动显示设计的经验交流与发展,推动国产化平板显示设计平台的普及和应用。

获奖名单公布

竞赛评选

  • 特等奖团队1支,各40000元人民币

  • 一等奖团队2支,各20000元人民币

  • 二等奖团队3支,各10000元人民币

  • 三等奖团队4支,各5000元人民币

ICDT华大九天杯创新奖赛

获奖名单

名次团队队长团队成员学校
特等奖施闰霄

雷腾腾

王玉岐

谢馨莹

香港科技大学
一等奖韩磊

尹晓宽

李骏

杨伟弘

上海交通大学
一等奖彭聪

黄慧雪

温盼

上海大学
二等奖陈绍杭

夏志明

兰金华

蒋冰鑫

福州大学
二等奖李非凡

刘淳

左文财

周昭桦

华南理工大学
二等奖颜若杨马晓欣深圳大学
三等奖郑欣

宋志邦

阙姗

朱宇轩

北京大学
三等奖姜吉鑫

刘衡

赵子明

李雅倩

北京交通大学
三等奖黄益豪

罗文俊

冼举名

广东工业大学
三等奖余烜恺

袁澄浩

王明阳

深圳信息职业技术学院




基本要求

  • 参赛人数

每队允许1~4人参赛,需指定队名及一名队长(设计的第一作者),可指定一名指导老师(指导老师不包含在数量中)

  • 工具平台

基于华大九天平板显示电路设计全流程EDA工具系统,完成LCD全流程设计

  • 成果提交

a) 按要求完成各设计流程节点并提交各阶段设计数据;

b) 提交设计Word文档,内容包括但不限于设计思路、各模块设计&操作流程、结果说明等;

c) 提交答辩PPT文档,内容包括但不限于设计思路、各模块设计&操作流程、结果说明等;


请在8月15日前完成参赛文档上传;8月26日前完成答辩PPT上传



ICDT华大九天杯创新竞赛说明会&培训会


竞赛说明会&培训会(一)

会议时间

2022/05/28 09:30-17:30

会议链接

https://meeting.tencent.com/dm/oWU3T8Wcrz9E

#腾讯会议:522-925-427

会议密码

请报名参赛后联系负责人获取



竞赛说明会&培训会(二)

会议时间

2022/05/29 13:30-16:30

会议链接

https://meeting.tencent.com/dm/6WKINaTkSIHA

#腾讯会议:752-950-457

会议密码

请报名参赛后联系负责人获取


竞赛试题

竞赛试题

题目

平板显示全流程设计创新竞赛




赛题内容

随着疫情对于全球的影响,人与人之间的线上沟通已经常态化,平板作为交互界面在现代社会中的作用日益凸显。“ICDT 华大九天杯创新竞赛”是国内单一基于国产化平台的平板显示设计全流程竞赛,旨在丰富高校学生的产业应用知识,培养学生实践能力,推动显示设计的经验交流与发展,推动国产化平板显示设计平台的普及和应用。本赛题要求参赛选利用华大九天的平板显示电路设计全流程 EDA 工具系统,完成TFT-LCD的器件模型提取、版图设计、物理验证、寄生参数提取、电路仿真等环节的设计,要求设计完整、规范性、具有创新性





设计流程

1、基于华大九天的EsimFPD Model 工具,输入MOS器件IV测试data,输出TFT Model Card;

2、基于华大九天的RCExplorerFPD工具,输入Pixel Layout & 工艺参数,输出寄生电容参数;

3、基于华大九天ArgusFPD工具,修改并输出正确的LVS Rule文件;输入初版GOA Layout & 原理图,输出正确的符合DRC和LVS的版图;

4、基于华大九天的FPD LE工具,输入初版GOA Layout & 边框以及仿真优化后的电路模型,输出终版GOA Layout;

5、基于华大九天的FPD SE & ALPS FPD工具,输入初版电路原理图,输出满足要求的指定仿真结果及优化后电路图;

6、附加部分:完成以上部分后,可额外进行GOA单元架构调整,并提供对应版图和仿真电路,要求与4 & 5两项相同。











给定条件

给定条件,涵盖以下文档

a)   Model Card                                                                                                                                                           

像素Pixel TFT (MOS 器件) Id-Vd & Id-Vg 测试Data:格式csv,扫描Step 0.2V,对应W/L、介质层厚度、介电常数;

b)   寄生电容

像素Pixel FICD (刻蚀后尺寸) Layout:格式gds、RC Tech File (格式itf) ;

c)   物理验证

初版GOA Layout (存在错误) :格式gds 、GOA 对应SE原理图:格式design (完全准确)、初版LVS Rule文件(存在错误) & 膜层连接方式、DRC Rule文件(完全准确) ;

d)   GOA Layout

GOA原理图初版+GOA 边框 (矩形);

e)   电路仿真

GOA + Pixel经典9点电路仿真结构:格式为design (初版,可自主调整优化GOA电路)、GOA 单元TFT 对应Binning Model。





交付文件

交卷截止前,需要向组委会提交设计数据及《 设计word文档》和《答辩PPT文档》作为评审依据,文档内容必须包括但不仅限于以下项:

1. 首页包含参赛作品名、参赛队名、各队员姓名(其中队长作为第一作者排在最前并写明职务)信息;

2. 整体项目的设计简介(Introduction),包括但不限于:主要性能指标说明、突出点简介、设计优化思路阐述、各模块设计 &操作流程等;

3. 模型提取:TFT 模型提取流程及各步骤说明、最终提取结果及Error显示截图;

4. Pixel RC提取:RC提取流程及各步骤说明、RCE 参数提取界面设置、提取结果截图,包括Gate OFF/ON 模式;

5. DRC要求:1)DRC 修改处说明,2)DRC 报告截图并阐述DRC Debug思路(DRC不要求完全Clean,如有伪错可以忽略,需特别说明;

     LVS要求:1)LVS Rule 文件修改说明及原因,2) LVS 修改处说明   3) LVS Clean报告截图并阐述LVS Debug 思路;

6. 电路仿真:1)仿真步骤及设置说明,2)优化调整后的相关指标结果,3)电路优化修改内容;4)阐明电路优化思路;

7. 版图设计:1)GOA版图设计说明,2)GOA版图与优化后电路完全匹配的版图截图,3)标明外围各信号线宽度/间隔、GOA区总宽度(不得超出定边框)、

各TFT Size及电路图中对应名称,4)输出GOA RC loading, 5)DRC 验证结果截图 ,6)LVS 验证结果截图;

8. 附加内容:允许调整GOA架构,其他要求相同,提供第6 & 7项对应结果;

9. 附注Reference,如报告中引用的其他数据、文献出处。




其他注意事项

鼓励原创想法,如涉及到业界公开方案请提供优化说明

1. 参与竞赛即为接受命题企业委托创作参赛作品,参赛作品的知识产权归属命题企业与参赛团队共有。

2. 为竞赛的宣传、表彰等目的,大赛组委会和命题企业有权在竞赛相关的线上线下宣传平台,通过电子文档、图片等形式使用、展示作品材料。

3. 参赛项目引用参考的部分应当在设计word文档和答辩PPT中注明来源,且不能将参考的内容作为自己作品的创新部分。

4. 参赛选手须承诺参赛作品不侵犯任何第三方知识产权。如有侵权行为,命题企业与大赛组委会保留追究相关法律责任的权利。

下载知识产权公告










技术评分

技术评分标准如下:

a)     Model Card (5分)                                                                                                 

拟合 Linear Error < 5% (4分),文件设定规范 (1分);

b)     寄生电容(7分)

误差 <5% (5分),文件设定规范 (2分);

c)      物理验证(12)

LVS Rule文件正确(2分),GOA Layout 与电路匹配(5分)、符合DRC Rule (5分);

d)     GOA Layout (17)

超出边框/特征仿真结果不合要求直接计0分,与终版仿真电路匹配 (12分),对称美观 (5 分);

e)     电路仿真(30)

与版图不匹配直接计0分,MDE state正确 (5分) ;特征仿真结果满足要求 (基础15分,前5名额外计10/8/6/4/2分);

f)      设计文档(9)

完整性 (3分)、规范性 (2分)、创新性 (4分);

g)     现场表现 (20分)

设计陈述 (10分)、答辩 (10分);

h)     附加部分 (20)

不满足d & e 要求直接计0分,依特征仿真结果排名,前5名额外计20/15/12/9/6分;


考察专业维度

1. 平板显示设计能力

2. 发散开创性思维


下载

点击了解试题详情

下载《参赛授权说明书》

点击下载赛题


Q&A

Q1:每个团队最多可由多少人组成?

A1:每个团队最多4位学生,若有指导老师,团队可由1位指导老师和4位学生组成。



Q2:团队一定需要指导老师吗?

A2:不一定需要,根据报名团队自身情况自行寻找最多1位指导老师。



Q3:   可以独自报名吗?

A3:可以单独一个人为团进行报名。



Q4:如何与华大九天专家交流?

A4:报名得到官方邮件确认后可根据邮件公布的方式加入参赛群进行参赛交流。



Q5:参赛作品所有权如何归属?

A5:提交参赛作品,视同共享技术成果,需提交《参赛授权说明书》。



Q6:如果我不熟悉华大九天的软件还能报名参赛吗?

A6:华大九天方面专门安排了2-3场FPD培训,若错过培训可通过官网培训录制视频反复学习。


评审标准

交付文件

①设计数据;②设计word文档;③答辩PPT文档

评审标准

①回收的交付件提交给组委会,隐去学校/姓名,设置一一对应的数字编号;

②从客观/主观不同维度,综合评价方案实现的完成度、创新性和效果/效率;

③按照打分表,评委集体打分统计成绩。