刘斌

个人简介

刘斌，南京大学电子学院教授、博导、副院长，教育部长江学者特聘教授，国家重点研发计划项目首席科学家,长期从事氮化镓半导体材料生长、Micro-LED器件、紫外光电子器件、新型半导体显示技术研究，担任我国第三代半导体联盟、光电子行业协会等Micro-LED显示器件专委会委员等，曾在英国谢菲尔德大学III-V族半导体国家实验室做博士后研究，在中国香港中文大学、美国耶鲁大学、瑞典皇家工学院访问研究；主持/完成国家重点研发计划、“973”计划、国家自然科学基金项目/课题20余项，发表SCI论文200余篇，授权中国、美国发明专利60余项。

演讲简介

基于氮化镓(GaN)基半导体的Micro-LED材料与芯片及其在消费电子、汽车车载显示、VR/AR虚拟增强显示等方面应用受到学术界与产业界极大的关注。当前Micro-LED显示技术仍面临巨量转移精度与效率、红光缺失、芯片效率Droop效应等科学与技术难题。

针对上述问题，采用金属有机源化学汽相沉积(MOCVD)二次横向外延生长氮化镓(GaN)薄膜与量子阱结构，研究了微纳尺寸下氮化物横向外延生长和位错抑制机理；生长获得了高质量、弱极化场InGaN/GaN量子阱结构，实现橙红长波长630nm的LED器件以及Micro-LED阵列，Droop效应得到明显抑制；设计并制备出一种新型微纳混合结构GaN量子阱/II-VI族量子点集成LED，采用紫外软纳米压印和光刻技术，实现了量子点集成的RGB三色20μm*30μm为周期的Micro-LED阵列，获得高色转换效率(CCE)；合作提出了基于二维MoS2材料TFT驱动电路集成的超高分辨氮化镓Micro-LED异质集成芯片微显示方案，实现了超1200 PPI的高亮度微显示器。上述新结构、新器件为高效全彩显示、高分辨透明显示、可见光通讯等应用提供了新技术路径。